donstuAdvanced Engineering Research (Rostov-on-Don)Advanced Engineering Research (Rostov-on-Don)2687-1653Don State Technical Universitydonstu-457Research ArticleTECHNICAL SCIENCESТЕХНИЧЕСКИЕ НАУКИULTRATHIN CARBON FILMS ON SAPPHIRE GROWN BY LASER ABLATION: SYNTHESIS AND AFM-STUDYУЛЬТРАТОНКИЕ УГЛЕРОДНЫЕ ПЛЕНКИ НА САПФИРЕ, ВЫРАЩЕННЫЕ МЕТОДОМ ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ: СИНТЕЗ И АСМ-ИССЛЕДОВАНИЕИлясовВиктор ВасильевичIlyasovViktor V.viily@mail.ruМесхиБесарион ЧохоевичMeskhiBesarion C.РыжкинАнатолий АндреевичRyzhkinAnatoly A.ЕршовИгорь ВладимировичYershovIgor V.thijd@mail.ruДонской государственный технический университет.РоссияDon State Technical University.Russian FederationДонской государственный технический университет.РоссияDon State Technical UniversityRussian FederationДонской государственный технический университет.Russian Federation201230122012121-13135Copyright © Ilyasov V.V., Meskhi B.C., Ryzhkin A.A., Yershov I.V., 20122012Илясов В.В., Месхи Б.Ч., Рыжкин А.А., Ершов И.В.Ilyasov V.V., Meskhi B.C., Ryzhkin A.A., Yershov I.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.vestnik-donstu.ru/jour/article/view/457

The synthesis technique of ultrathin films on sapphire by laser ablation, and the results of their study by the atomic force microscopy (AFM) method are stated.

Изложена методика синтеза ультратонких пленок на сапфире методом лазерной абляции и результаты их исследования методом атомно-силовой микроскопии.

углеродные пленкиграфенсинтезмикротопографияатомно-силовая микроскопия.carbon filmsgraphenesynthesismicrotopographyatomic force microscopy.ReferencesМорозов С.В. Электронный транспорт в графене / С.В. Морозов, К.С. Новосёлов, А.К. Гейм // Успехи физ. наук. – 2008. – Т.178. – С. 776–780.Morozov S.V. E`lektronny`j transport v grafene / S.V. Morozov, K.S. Novosyolov, A.K. Gejm // Uspexi fiz. nauk. – 2008. – T.178. – S. 776–780. – In Russian.Козлов Г.И. Синтез одностенных углеродных нанотрубок в расширяющемся парогазовом потоке продуктов лазерной абляции графита с катализатором / Г.И. Козлов, И.Г. Ассовский // Журн. техн. физики. – 2003. – Т.73. – С. 76–82.Kozlov G.I. Sintez odnostenny`x uglerodny`x nanotrubok v rasshiryayushhemsya parogazovom potoke produktov lazernoj ablyacii grafita s katalizatorom / G.I. Kozlov, I.G. Assovskij // Zhurn. texn. fiziki. – 2003. – T.73. – S. 76–82. – In Russian.Синтез пленок нитрида углерода методом лазерной абляции в двухимпульсном режиме / Ю.Я. Кузяков [и др.] // Вестн. моск. ун-та. Серия 2. Химия. – 2007. – Т.48. – С. 134–138.Sintez plyonok nitrida ugleroda metodom lazernoj ablyacii v dvuximpul`snom rezhime / Yu.Ya. Kuzyakov [i dr.] // Vestn. mosk. un-ta. Seriya 2. Ximiya. – 2007. – T.48. – S. 134–138. – In Russian.Абляция тонких эпитаксиальных пленок GaN под действием импульсного излучения KrF эксимерного лазера / Р.П. Сейсян [и др.] // Письма в журн. техн. физики. – 2007. – Т. 33. – С. 64–70.Ablyaciya tonkix e`pitaksial`ny`x plyonok GaN pod dejstviem impul`snogo izlucheniya KrF e`ksimernogo lazera / R.P. Sejsyan [i dr.] // Pis`ma v zhurn. texn. fiziki. – 2007. – T. 33. – S. 64–70. – In Russian.Feng J. Ab initio study of and interfaces/J. Feng, W. Zhang, W. Jiang // Physical Review B. – 2005. – Vol. 72. – P. 115423-1-11.Feng J. Ab initio study of and interfaces / J. Feng, W. Zhang, W. Jiang // Physical Review B. – 2005. – Vol. 72. – P. 115423-1-11.Investigation of the electronic structure of Me/Al2O3(0001) interfaces / S.V. Eremeev [et al.] // Physica B: Physical Condenced Material. – 2009. – Vol. 404. – P. 2065–2071.Investigation of the electronic structure of Me/Al2O3(0001) interfaces / S.V. Eremeev [et al.] // Physica B: Physical Condenced Material. – 2009. – Vol. 404. – P. 2065–2071.Band structures of Metal-Oxide Copped Graphene: A Fist Principles Study / H. Liu [et al.] //Chinese Physics Letters. – 2010. – Vol. 27, N 7. – P. 077201-1-4.Band structures of Metal-Oxide Copped Graphene: A Fist Principles Study / H. Liu [et al.] // Chinese Physics Letters. – 2010. – Vol. 27, N 7. – P. 077201-1-4.Electron states of mono- and bilayer graphene on SiC probed by STM [Electronic resource] / P. Mallet [et al.] // arXiv:cond-mat/0702406v1 19 Feb 2007.Electron states of mono- and bilayer graphene on SiC probed by STM [Electronic resource] / P. Mallet [et al.] // arXiv:cond-mat/0702406v1 19 Feb 2007.Ramasubramaniam A. Substrate-induced magnetism in epitaxial graphene buffer layers /A. Ramasubramaniam, N.V. Medhekar, V.B. Shenoy // Nanotechnology. – 2009. – Vol. 20. – P. 275705-1-7.Ramasubramaniam A. Substrate-induced magnetism in epitaxial graphene buffer layers / A. Ramasubramaniam, N.V. Medhekar, V.B. Shenoy // Nanotechnology. – 2009. – Vol. 20. – P.275705-1-7.Electronic structure of epitaxial grapheme layers on SiC: Effect of the substrate / F. Varchon [et al.] // Physical Review Letters. – 2007. – Vol. 99. – P. 126805-1-4.Electronic structure of epitaxial grapheme layers on SiC: Effect of the substrate / F. Varchon [et al.] // Physical Review Letters. – 2007. – Vol. 99. – P. 126805-1-4.Electric field effect tunning of electron-phonon coupling in graphene /J. Yan [et al.] // Physical Review Letters. – 2007. – Vol. 98. – P. 166802-1-4.Electric field effect tunning of electron-phonon coupling in graphene / J. Yan [et al.] // Physical Review Letters. – 2007. – Vol. 98. – P. 166802-1-4.Tsukamoto T. Morphology of graphene on step-controlled sapphire substrates / T. Tsukamoto and T. Ogino // Applied Physics Express. – 2009. – Vol. 2. – P. 075502-1-3.Tsukamoto T. Morphology of graphene on step-controlled sapphire substrates / T. Tsuka-moto and T. Ogino // Applied Physics Express. – 2009. – Vol. 2. – P. 075502-1-3.CarbonProducts [Electronic resource]. –CarbonProducts [Electronic resource]. – http://www.thickfilmtech.com/CarbonProducts_R202009.pdf.http://www.thickfilmtech.com/CarbonProducts _R202009.pdf.Surface properties of ultra-thin tetrahedral amorphous carbon films for magnetic storage technology / C. Casiraghi [et al.] // Diamond and Related Materials. – 2004. – Vol. 13. – P. 1416–1421.Surface properties of ultra-thin tetrahedral amorphous carbon films for magnetic storage technology / C. Casiraghi [et al.] // Diamond and Related Materials. – 2004. – Vol. 13. – P. 1416–1421.Tvyordy`e nanokristallicheskie uglerodny`e pokry`tiya na osnove fullerita / K.V. Oskomov [i dr.] // Pis`ma v zhurn. texn. fiziki. – 2009. – T. 35, vy`p. 19. – S. 2–29. – In Russian.Твердые нанокристаллические углеродные покрытия на основе фуллерита / К.В. Оскомов [и др.] // Письма в журн. техн. физики. – 2009. – Т. 35, вып.19. – С. 2–29.Properties of TiC thin films grown by pulsed laser deposition / F. Santerre [et al.] // Applied Surface Science. – 1999. – Vol. 148. – P. 24–33.Properties of TiC thin films grown by pulsed laser deposition / F. Santerre [et al.] // Applied Surface Science. – 1999. – Vol. 148. – P. 24–33.Ivanov-Omskij V.I. Skaniruyushhie tunnel`naya mikroskopiya i spektroskopiya amorfnogo ugleroda. Obzor / V.I. Ivanov-Omskij, A.B. Lody`gin, S.G. Yastrebov // Fizika i texnika poluprovodnikov. – 2000. – T. 34, # 12. – S. 1409–1417. – In Russian.Иванов-Омский В.И. Сканирующие туннельная микроскопия и спектроскопия аморфного углерода. Обзор / В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов // Физика и техника полупровод-ников. – 2000. – Т. 34, № 12. – С. 1409–1417.Иванов-Омский В.И. Сканирующие туннельная микроскопия и спектроскопия аморфного углерода. Обзор / В.И. Иванов-Омский, А.Б. Лодыгин, С.Г. Ястребов // Физика и техника полупровод-ников. – 2000. – Т. 34, № 12. – С. 1409–1417.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.